एक ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर में,वोल्टेज गेन

  • A
    सभी आवृत्तियों के लिए समान होता है।
  • B
    उच्च आवृत्तियों के लिए अधिक और निम्न आवृत्तियों के लिए कम होता है।
  • C
    उच्च आवृत्तियों के लिए कम और निम्न आवृत्तियों के लिए अधिक होता है।
  • D
    उच्च और निम्न आवृत्तियों के लिए कम और मध्यम आवृत्तियों पर स्थिर होता है।

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एक ट्रांजिस्टर सक्रिय (active) मोड में कार्य कर रहा है। $v_1$ बेस-एमिटर जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) है और $v_2$ कलेक्टर-बेस जंक्शन पर विभव प्राचीर है। $b_1$ बेस-एमिटर जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई है और $b_2$ कलेक्टर-बेस जंक्शन की चौड़ाई है।

$CE$ विन्यास में एक ट्रांजिस्टर की दी गई स्थानांतरण विशेषता से,$R_B = 10\,k\Omega$ और $R_C = 1\,k\Omega$ के लिए इस विन्यास का पावर गेन $10^x$ है। $x$ का मान $.....$ है।

कॉमन-बेस कॉन्फ़िगरेशन में,एक ट्रांजिस्टर का करंट एम्प्लीफिकेशन फैक्टर $0.95$ है। यदि ट्रांजिस्टर का उपयोग कॉमन-एमिटर कॉन्फ़िगरेशन में किया जाता है और बेस करंट में $2 \mu A$ का परिवर्तन होता है,तो कलेक्टर करंट में परिवर्तन कितना होगा ($\mu A$ में)?

एक ट्रांजिस्टर का धारा लाभ $\beta$ $50$ है। कॉमन एमिटर मोड में उपयोग किए जाने पर ट्रांजिस्टर का इनपुट प्रतिरोध $1\,k\Omega$ है। $0.01\,V$ के इनपुट पीक वोल्टेज के लिए कलेक्टर धारा का पीक मान ...... $\mu A$ है।

Difficult
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एक $N-P-N$ ट्रांजिस्टर परिपथ में,कलेक्टर धारा $10 \ mA$ है। यदि उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का $90\%$ भाग कलेक्टर तक पहुँचता है,तो उत्सर्जक धारा $(I_E)$ और आधार धारा $(I_B)$ क्रमशः क्या हैं?

Difficult
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