ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા અને આવૃત્તિ બંને બમણી કરવામાં આવે,તો સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ

એક ફોટોસેલને $d \; m$ દૂર મૂકવામાં આવેલા નાના તેજસ્વી સ્ત્રોત દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જ્યારે પ્રકાશના તે જ સ્ત્રોતને $\frac{d}{2} \; m$ દૂર મૂકવામાં આવે,ત્યારે ફોટોકેથોડ દ્વારા ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા

આપેલા વિધાનો માટે સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
વિધાન-$I$: પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.
વિધાન-$II$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રક્રિયામાં,આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.

પ્રકાશનું તરંગ સ્વરૂપ નીચેનામાંથી કઈ ઘટના સમજાવવામાં નિષ્ફળ ગયું છે?

ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રાયોગિક અભ્યાસની રૂપરેખા આપો.

નીચેનો આલેખ ધાતુની સપાટી માટે એનોડ પોટેન્શિયલ સાથે ફોટોકરંટના ફેરફારને દર્શાવે છે. અહીં $I_{1}, I_{2}$ અને $I_{3}$ એ તીવ્રતા દર્શાવે છે અને $\gamma_{1}, \gamma_{2}, \gamma_{3}$ એ અનુક્રમે વક્ર $1, 2$ અને $3$ માટે આવૃત્તિઓ દર્શાવે છે,તો