સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,કેપેસીટન્સને નીચેનામાંથી શું ઘટાડીને વધારી શકાય છે?

$40\, mm$ વ્યાસ ધરાવતી સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ ($mm$ માં) શોધો,જેથી તેનું કેપેસિટન્સ $1\, mm$ ત્રિજ્યા ધરાવતા ધાતુના ગોળાના કેપેસિટન્સ જેટલું થાય.

$C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા એક ઇન્સ્યુલેટેડ સમાંતર-પ્લેટ કેપેસીટરમાં,ચાર સપાટીઓ પર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $Q_1, Q_2, Q_3$ અને $Q_4$ વિદ્યુતભારો છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે છે. જો $C$ તેનું પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ હોય,તો તેનું અંતિમ કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $12 \ \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ ... $\mu F$ થશે.

ચાર્જ થયેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના બિંદુએ વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા: