एक $p-n$ जंक्शन सोलर सेल में,मोनोक्रोमैटिक प्रकाश द्वारा उत्पन्न फोटो-इलेक्ट्रोमोटिव बल का मान किसके समानुपाती होता है?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और सही उत्तर की पहचान करें:
$A$. सौर सेल के लिए,$I-V$ अभिलक्षण दिए गए ग्राफ के $IV$ चतुर्थांश में स्थित होते हैं।
$B$. एक रिवर्स बायस्ड $pn$ जंक्शन डायोड में,$(\mu A)$ में मापा गया करंट बहुसंख्यक आवेश वाहकों (majority charge carriers) के कारण होता है।

एक $LED$ में,जब फॉरवर्ड बायस को बढ़ाया जाता है (शून्य से शुरू करके),तो उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता:

$LED$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड है जो

एक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):

एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ में $2\,V$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है और जब यह $6\,V$ की बैटरी के साथ एक लिमिटिंग रेजिस्टर $R$ के माध्यम से संचालित होता है,तो इसमें से $10\,mA$ की धारा प्रवाहित होती है। $R$ का मान ......... $k\,\Omega$ है।