નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: $T \ell I_{3}$ માં,જે $CsI_{3}$ ને સમરૂપ (isomorphous) છે,ધાતુ $+1$ ઓક્સિડેશન અવસ્થામાં હાજર છે.
કારણ $R$: $T \ell$ ધાતુની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણીમાં ચૌદ $f$ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

  • A
    $A$ સાચું છે પરંતુ $R$ સાચું નથી.
  • B
    $A$ અને $R$ બંને સાચા છે અને $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી છે.
  • C
    $A$ સાચું નથી પરંતુ $R$ સાચું છે.
  • D
    $A$ અને $R$ બંને સાચા છે પરંતુ $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી નથી.

Explore More

Similar Questions

ધાતુની સૌથી વધુ ઓક્સિડેશન અવસ્થા માત્ર તેના ઓક્સાઈડ અથવા ફ્લોરાઈડમાં જ કેમ જોવા મળે છે?

$Zr$ અને $Hf$ તત્વોની જોડી માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

નીચેનામાંથી કઈ ધાતુ સૌથી વધુ ઘનતા ધરાવે છે?

સંક્રાંતિ તત્વોની ઊંચી ઓક્સિડેશન અવસ્થાઓ $A$ અને $B$ સાથેના સંયોજનમાં જોવા મળે છે,જે છે

ટેન્ટલમ $(Z = 73)$ નો આવર્ત ક્રમાંક અને સમૂહ ક્રમાંક અનુક્રમે કેટલા છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo