નીચે બે વિધાનો આપેલા છે,એકને વિધાન A અને બીજા | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $(\lambda)$ એ સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $(\Delta_o)$ ના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે,એટલે કે $\lambda \propto \frac{1}{\D

Vedclass · Accepted Answer

$A$ ખોટું છે પણ $R$ સાચું છે.

Vedclass · Answer

(A) શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $(\lambda)$ એ સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $(\Delta_o)$ ના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે,એટલે કે $\lambda \propto \frac{1}{\Delta_o}$.
$[Co(NH_3)_5(H_2O)]^{3+}$ માં,લિગાન્ડ્સ $NH_3$ અને $H_2O$ છે. $[CoCl(NH_3)_5]^{2+}$ માં,લિગાન્ડ્સ $NH_3$ અને $Cl^-$ છે.
સ્પેક્ટ્રોકેમિકલ શ્રેણી મુજબ,$H_2O$ એ $Cl^-$ કરતા વધુ મજબૂત ક્ષેત્ર લિગાન્ડ છે. તેથી,$[Co(NH_3)_5(H_2O)]^{3+}$ માટે સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $(\Delta_o)$ એ $[CoCl(NH_3)_5]^{2+}$ કરતા વધારે છે.
કારણ કે $[Co(NH_3)_5(H_2O)]^{3+}$ માટે $\Delta_o$ વધારે છે,તે ઓછી તરંગલંબાઇ પર શોષણ કરે છે. આમ,વિધાન $A$ ખોટું છે.
શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ લિગાન્ડની પ્રકૃતિ (સ્પેક્ટ્રોકેમિકલ શ્રેણી) પર આધાર રાખે છે,માત્ર ધાતુ આયનની ઓક્સિડેશન અવસ્થા પર નહીં. આમ,કારણ $R$ પણ ખોટું છે.

$I$. $NCS^{-}$	$II$. $S^{2-}$
$III$. $en$	$IV$. $SCN^{-}$

Similar Questions

નીચેના સંકીર્ણ આયનોને ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્પ્લિટિંગ એનર્જી $(\Delta_{0})$ ના વધતા ક્રમમાં ગોઠવો: $[Cr(Cl)_{6}]^{3-}, [Cr(CN)_{6}]^{3-}, [Cr(NH_{3})_{6}]^{3+}$

અષ્ટફલકીય અને સમચતુષ્ફલકીય સંક્રાંતિ ધાતુ સંકીર્ણોમાં $d_{xy}$ અને $d_{z^2}$-કક્ષકોની ઉર્જા એવી છે કે

નીચે આપેલા લિગાન્ડ્સની ફિલ્ડ સ્ટ્રેન્થ (ક્ષેત્ર પ્રબળતા) ના ઘટતા ક્રમનો સાચો વિકલ્પ કયો છે?
$I$. $NCS^{-}$ $II$. $S^{2-}$
$III$. $en$ $IV$. $SCN^{-}$

નીચેનામાંથી નિર્બળ ક્ષેત્ર લિગેન્ડ (weak field ligand) ઓળખો.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module