भौतिक अधिशोषण और रासायनिक अधिशोषण के बीच अंतर | vedclass

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Question

(N/A) भौतिक अधिशोषण (Physisorption)रासायनिक अधिशोषण (Chemisorption)$1$. यह दुर्बल वाण्डर वाल्स बलों के कारण उत्पन्न होता है।$1$. यह प्रबल रासायनिक बंध

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(N/A) भौतिक अधिशोषण (Physisorption)रासायनिक अधिशोषण (Chemisorption)$1$. यह दुर्बल वाण्डर वाल्स बलों के कारण उत्पन्न होता है।$1$. यह प्रबल रासायनिक बंध बनने के कारण होता है।$2$. यह प्रकृति में विशिष्ट नहीं है।$2$. यह प्रकृति में अत्यधिक विशिष्ट है।$3$. यह उत्क्रमणीय (reversible) है।$3$. यह अनुत्क्रमणीय (irreversible) है।$4$. यह गैस की प्रकृति पर निर्भर करता है; आसानी से द्रवीभूत होने वाली गैसें जल्दी अधिशोषित होती हैं।$4$. यह गैस की प्रकृति पर निर्भर करता है; जो गैसें अधिशोषक के साथ अभिक्रिया कर सकती हैं,वे रासायनिक अधिशोषण दर्शाती हैं।$5$. अधिशोषण की एन्थैल्पी कम होती है $(20-40 \ kJ \ mol^{-1})$।$5$. अधिशोषण की एन्थैल्पी अधिक होती है $(80-240 \ kJ \ mol^{-1})$।$6$. कम तापमान अनुकूल है; तापमान बढ़ने पर यह घटता है।$6$. उच्च तापमान अक्सर अनुकूल होता है; तापमान बढ़ने पर यह बढ़ता है।$7$. कोई उल्लेखनीय सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकता नहीं होती है।$7$. अक्सर उच्च सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकता होती है।$8$. यह सतह के क्षेत्रफल पर निर्भर करता है; सतह का क्षेत्रफल बढ़ने पर यह बढ़ता है।$8$. यह भी सतह का क्षेत्रफल बढ़ने पर बढ़ता है।$9$. यह अधिशोषक की सतह पर बहु-आणविक परतें बनाता है।$9$. यह एक-आणविक परत बनाता है।

भौतिक अधिशोषण और रासायनिक अधिशोषण के बीच अंतर बताइए।

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भौतिक अधिशोषण (Physisorption)	रासायनिक अधिशोषण (Chemisorption)
$1$. यह दुर्बल वाण्डर वाल्स बलों के कारण उत्पन्न होता है।	$1$. यह प्रबल रासायनिक बंध बनने के कारण होता है।
$2$. यह प्रकृति में विशिष्ट नहीं है।	$2$. यह प्रकृति में अत्यधिक विशिष्ट है।
$3$. यह उत्क्रमणीय (reversible) है।	$3$. यह अनुत्क्रमणीय (irreversible) है।
$4$. यह गैस की प्रकृति पर निर्भर करता है; आसानी से द्रवीभूत होने वाली गैसें जल्दी अधिशोषित होती हैं।	$4$. यह गैस की प्रकृति पर निर्भर करता है; जो गैसें अधिशोषक के साथ अभिक्रिया कर सकती हैं,वे रासायनिक अधिशोषण दर्शाती हैं।
$5$. अधिशोषण की एन्थैल्पी कम होती है $(20-40 \ kJ \ mol^{-1})$।	$5$. अधिशोषण की एन्थैल्पी अधिक होती है $(80-240 \ kJ \ mol^{-1})$।
$6$. कम तापमान अनुकूल है; तापमान बढ़ने पर यह घटता है।	$6$. उच्च तापमान अक्सर अनुकूल होता है; तापमान बढ़ने पर यह बढ़ता है।
$7$. कोई उल्लेखनीय सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकता नहीं होती है।	$7$. अक्सर उच्च सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकता होती है।
$8$. यह सतह के क्षेत्रफल पर निर्भर करता है; सतह का क्षेत्रफल बढ़ने पर यह बढ़ता है।	$8$. यह भी सतह का क्षेत्रफल बढ़ने पर बढ़ता है।
$9$. यह अधिशोषक की सतह पर बहु-आणविक परतें बनाता है।	$9$. यह एक-आणविक परत बनाता है।