$LED$ को विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के दृश्य क्षेत्र में प्रकाश उत्सर्जित करने के लिए,इसका ऊर्जा बैंड अंतराल किस सीमा में होना चाहिए?

$LED$ को जिंक सेलेनाइड का उपयोग करके निर्मित किया जाता है,तो यह उत्सर्जित करता है:

समझाइए कि दृश्य $LED$ बनाने के लिए तात्विक अर्धचालकों का उपयोग क्यों नहीं किया जा सकता है।

पदार्थ $A$ का उपयोग करके सौर विकिरण के emf में कुशल रूपांतरण के लिए एक सौर सेल बनाया जाना है। सौर सेल को पदार्थ $B$ के कोटिंग की मदद से यांत्रिक रूप से सुरक्षित किया जाना है। यदि पदार्थों $A$ और $B$ की बैंड गैप ऊर्जा क्रमशः $E_{A}$ और $E_{B}$ है,तो सौर सेल के बेहतर प्रदर्शन के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प इष्टतम है?

$LED$ बनाने में प्रयुक्त अर्धचालक का बैंड गैप बताइए।

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A:$ फोटोडायोड का उपयोग आमतौर पर प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फॉरवर्ड बायस में किया जाता है।
कारण $R:$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए, अनुप्रयुक्त वोल्टेज $V$ पर, $|V_z| > |V| \geq V_0$ के लिए फॉरवर्ड बायस में धारा रिवर्स बायस की तुलना में अधिक होती है, जहाँ $V_0$ थ्रेशोल्ड वोल्टेज है और $V_z$ ब्रेकडाउन वोल्टेज है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में, नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें।