(N/A) સિદ્ધાંત: આ પદ્ધતિ ધાતુની પીગળેલી અને ઘન અવસ્થામાં અશુદ્ધિઓની દ્રાવ્યતામાં રહેલા તફાવત પર આધારિત છે.
પ્રક્રિયા: આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,અશુદ્ધ ધાતુના સળિયાની આસપાસ એક મોબાઈલ હીટર એક છેડે ગોઠવવામાં આવે છે. જેમ હીટરને આગળ ખસેડવામાં આવે છે,તેમ પીગળેલું ઝોન હીટરની સાથે આગળ વધે છે. જેમ હીટર આગળ વધે છે,તેમ પાછળ રહી ગયેલા પીગળેલા દ્રવમાંથી શુદ્ધ ધાતુ સ્ફટિકીકરણ પામે છે અને અશુદ્ધિઓ હીટરની ગતિ દ્વારા નિર્મિત નજીકના નવા પીગળેલા ઝોનમાં જાય છે.
પુનરાવર્તન: આ પ્રક્રિયા ઘણી વખત પુનરાવર્તિત કરવામાં આવે છે અને હીટરને વારંવાર એક જ દિશામાં ખસેડવામાં આવે છે. અશુદ્ધિઓ એક છેડે કેન્દ્રિત થાય છે અને આ છેડાને કાપી નાખવામાં આવે છે.
ઉપયોગો: આ પદ્ધતિ સેમિકન્ડક્ટર અને ખૂબ જ ઉચ્ચ શુદ્ધતા ધરાવતી અન્ય ધાતુઓ,જેમ કે જર્મેનિયમ,સિલિકોન,બોરોન,ગેલિયમ અને ઇન્ડિયમ બનાવવા માટે ખૂબ જ ઉપયોગી છે.