(N/A) પ્રાથમિક સેમિકન્ડક્ટર $Si$ અને $Ge$ છે.
$Si$ નો પરમાણુ ક્રમાંક $Z=14$ છે. તેની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{2} 3p^{2}$ છે. $K$ અને $L$ કક્ષા સંપૂર્ણ ભરાયેલી છે અને $M$ કક્ષા $(n=3)$ અધૂરી છે,જેમાં ચાર સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન $(3s^{2} 3p^{2})$ છે.
$Ge$ નો પરમાણુ ક્રમાંક $Z=32$ છે. તેની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{2} 3p^{6} 3d^{10} 4s^{2} 4p^{2}$ છે. $K, L$ અને $M$ કક્ષા સંપૂર્ણ ભરાયેલી છે,પરંતુ $N$ કક્ષા $(n=4)$ અધૂરી છે,જેમાં ચાર સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન $(4s^{2} 4p^{2})$ છે.
આમ,$Si$ અને $Ge$ ચતુઃસંયોજક તત્વો છે.
તેમની સ્ફટિકીય રચનામાં,દરેક $Si$ અથવા $Ge$ પરમાણુ તેના ચાર સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનમાંથી એક-એક ઇલેક્ટ્રોન તેના ચાર નજીકના પડોશી પરમાણુઓ સાથે વહેંચે છે અને દરેક પડોશી પાસેથી એક ઇલેક્ટ્રોન મેળવે છે.
આ વહેંચાયેલ ઇલેક્ટ્રોન જોડી સહસંયોજક બંધ બનાવે છે. દરેક બંધમાં બે ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
આકૃતિ $Ge$ અથવા $Si$ ના એક પરમાણુને તેના ચાર પડોશી પરમાણુઓ સાથે સહસંયોજક બંધથી જોડાયેલ દર્શાવે છે. ઘાટા ટપકાં સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આકૃતિ દ્વિ-પરિમાણીય છે અને $+4$ સંજ્ઞા $Si$ અથવા $Ge$ પરમાણુના આંતરિક ભાગ (કોર) ને દર્શાવે છે.
દરેક બંધિત ઇલેક્ટ્રોન તે જે પરમાણુઓ સાથે જોડાયેલ છે તેની સાથે મજબૂતીથી બંધાયેલ હોય છે.