ધાતુની સપાટી પર આપાત ફોટોનની ઉર્જા શરૂઆતમાં $4W$ અને ત્યારબાદ $6W$ છે,જ્યાં $W$ એ તે ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર શોધો:

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે,જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E_{k})$ ને આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ $(\nu)$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આલેખનો ઢાળ શું આપે છે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

ધાતુ પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. જ્યારે $100 \ nm$ તરંગલંબાઈનું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ હશે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$280 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશનો ઉપયોગ લિથિયમ કેથોડ સાથે કરવામાં આવે છે,જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi = 2.5 \, eV$ છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ($V$ માં) શોધો.
$(h = 6.63 \times 10^{-34} \, J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \, m/s)$