ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કયા પરિબળો પર આધાર રાખે છે?

જ્યારે $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી વધુ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. તો $\nu =$ (જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે).

ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........ થી સ્વતંત્ર છે.

એક સપાટી પર $5.5 \times 10^8 \text{ MHz}$ અને $4.5 \times 10^8 \text{ MHz}$ આવૃત્તિ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર જોવા મળે છે. જો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:5$ હોય,તો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \times 10^{-19} \, J$ છે. જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $6400 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.4 \times 10^{-34} \, Js$)