Hall-Heroult प्रक्रिया द्वारा एल्युमिना का एल | vedclass

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Question

(C) Hall-Heroult प्रक्रिया में एल्युमिना $(Al_2O_3)$ का विद्युत अपघटनी अपचयन शामिल है।शुद्ध एल्युमिना का गलनांक बहुत अधिक होता है और यह विद्युत का कुच

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क्रायोलाइट जो कम गलनांक वाला पिघला हुआ मिश्रण बनाता है

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(C) Hall-Heroult प्रक्रिया में एल्युमिना $(Al_2O_3)$ का विद्युत अपघटनी अपचयन शामिल है।शुद्ध एल्युमिना का गलनांक बहुत अधिक होता है और यह विद्युत का कुचालक होता है।इसे दूर करने के लिए,एल्युमिना को क्रायोलाइट $(Na_3AlF_6)$ और फ्लोस्पार $(CaF_2)$ के पिघले हुए मिश्रण में घोला जाता है।यह मिश्रण दो मुख्य कार्य करता है:$1$. यह मिश्रण के गलनांक को घटाकर लगभग $1240 \ K$ कर देता है।$2$. यह पिघले हुए मिश्रण की विद्युत चालकता को बढ़ाता है।अतः,सही विकल्प $C$ है।

$(I)$ (प्रक्रिया)	$(II)$ (विद्युत अपघट्य)
$(i)$. डाउन्स सेल	$(W)$. गलित $MgCl_2$
$(ii)$. डाउ सी वाटर प्रोसेस	$(X)$. गलित $(Al_2O_3 + Na_3AlF_6)$
$(iii)$. हॉल-हेरोल्ट	$(Y)$. गलित $KHF_2$
$(iv)$. मोइसन	$(Z)$. गलित $(40\% NaCl + 60\% CaCl_2)$

Hall-Heroult प्रक्रिया द्वारा एल्युमिना का एल्युमिनियम में विद्युत अपघटनी अपचयन किसकी उपस्थिति में किया जाता है?

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