અર્ધવાહકમાં વિદ્યુત વહન કોના કારણે થાય છે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે કયું વિધાન સાચું છે?

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $10^{16} \ m^{-3}$ છે. ગેલિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_{h}$ વધીને $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો,ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં $n_{e}$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ ફોસ્ફરસ સાથે ભારે ડોપિંગ કરેલા સેમિકન્ડક્ટરમાં અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યા હોય,તો:

જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $n-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?