(N/A) $(i)$ $B$ થી $Tl$: સમૂહ $13$ ના તત્વોની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના $ns^2 np^1$ છે. તેથી,તેમના દ્વારા દર્શાવવામાં આવતી સૌથી સામાન્ય ઓક્સિડેશન અવસ્થા $+3$ હોવી જોઈએ. જોકે,માત્ર બોરોન અને એલ્યુમિનિયમ જ વ્યવહારમાં $+3$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવે છે.
બાકીના તત્વો,એટલે કે $Ga, In, Tl$,$+1$ અને $+3$ બંને ઓક્સિડેશન અવસ્થાઓ દર્શાવે છે. સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં,$+1$ અવસ્થા વધુ સ્થાયી બને છે. ઉદાહરણ તરીકે,$Tl(+1)$ એ $Tl(+3)$ કરતા વધુ સ્થાયી છે. આ 'નિષ્ક્રિય યુગ્મ અસર' (inert pair effect) ને કારણે છે.
$s$-કક્ષકમાં રહેલા બે ઇલેક્ટ્રોન કેન્દ્ર દ્વારા મજબૂત રીતે આકર્ષાયેલા હોય છે અને બંધનમાં ભાગ લેતા નથી. આ નિષ્ક્રિય યુગ્મ અસર સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં વધુ ને વધુ પ્રબળ બને છે. તેથી,$Ga(+1)$ અસ્થાયી છે,$In(+1)$ પ્રમાણમાં સ્થાયી છે અને $Tl(+1)$ ખૂબ જ સ્થાયી છે.
| તત્વો | $B, Al, Ga, In, Tl$ |
| ઓક્સિડેશન આંક | $B(+3), Al(+3), Ga(+1, +3), In(+1, +3), Tl(+1, +3)$ |
સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં $+3$ ઓક્સિડેશન અવસ્થાની સ્થિરતા ઘટે છે.
$(ii)$ $C$ થી $Pb$: સમૂહ $14$ ના તત્વોની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના $ns^2 np^2$ છે. તેથી,તેમના દ્વારા દર્શાવવામાં આવતી સૌથી સામાન્ય ઓક્સિડેશન અવસ્થા $+4$ હોવી જોઈએ. જોકે,સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં $+2$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા વધુ ને વધુ સામાન્ય બનતી જાય છે. $C$ અને $Si$ મુખ્યત્વે $+4$ અવસ્થા દર્શાવે છે.
સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં,ઊંચી ઓક્સિડેશન અવસ્થા ઓછી સ્થાયી બને છે. આ નિષ્ક્રિય યુગ્મ અસરને કારણે છે. આમ,જોકે $Ge, Sn$ અને $Pb$ બંને $+2$ અને $+4$ અવસ્થાઓ દર્શાવે છે,તેમ છતાં સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં નીચી ઓક્સિડેશન અવસ્થાની સ્થિરતા વધે છે અને ઊંચી ઓક્સિડેશન અવસ્થાની સ્થિરતા ઘટે છે.