(N/A) $S$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{2} 3p^{4}$ છે.
$SO_{2}$ ના નિર્માણ દરમિયાન, $3p$ કક્ષકમાંથી એક ઇલેક્ટ્રોન $3d$ કક્ષકમાં જાય છે અને $S$ એ $sp^{2}$ સંકરણ અનુભવે છે. આમાંથી બે કક્ષકો બે ઓક્સિજન પરમાણુઓ સાથે સિગ્મા બંધ બનાવે છે અને ત્રીજી કક્ષકમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે.
$S$ પરની બાકીની $p$-કક્ષક અને $d$-કક્ષકમાં એક-એક અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આમાંથી એક ઇલેક્ટ્રોન એક ઓક્સિજન પરમાણુ સાથે $p\pi-p\pi$ બંધ બનાવે છે અને બીજો ઇલેક્ટ્રોન બીજા ઓક્સિજન પરમાણુ સાથે $p\pi-d\pi$ બંધ બનાવે છે.
અનુનાદને કારણે, $SO_{2}$ એ બંધારણ $I$ અને $II$ નું અનુનાદિત સંકર છે. પરિણામે, બંને $S-O$ બંધ લંબાઈમાં સમાન $(143 \ pm)$ છે અને આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા ધરાવે છે.