કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ દરેક પાસે ચાર સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. ઓરડાના તાપમાને નીચેનામાંથી કયું વિધાન સૌથી યોગ્ય છે?

  • A
    મુક્ત વહન ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $C$ માં નોંધપાત્ર છે પરંતુ $Si$ અને $Ge$ માં ઓછી છે.
  • B
    મુક્ત વહન ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ત્રણેયમાં નહિવત છે.
  • C
    વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ત્રણેયમાં નોંધપાત્ર છે.
  • D
    વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા માત્ર $Si$ અને $Ge$ માં નોંધપાત્ર છે પરંતુ $C$ માં ઓછી છે.

Explore More

Similar Questions

જો કોઈ પદાર્થનો ઉર્જા ગેપ $5.4 \ eV$ હોય,તો તે પદાર્થ શું છે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરનું સ્ફટિકીય બંધારણ શું છે?

$0 \ K$ તાપમાને,જર્મેનિયમનો ટુકડો:

ઓરડાના તાપમાને જર્મેનિયમના એનર્જી બેન્ડમાં ફોરબિડન એનર્જી ગેપ આશરે $......$ $eV$ હોય છે.

એક સેમિકન્ડક્ટરને $T_1 \ K$ થી $T_2 \ K$ સુધી ઠંડું પાડવામાં આવે છે. તેનો અવરોધ:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo