ધારો કે ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં સિલિકોન ડાયોડ પર $0.7 \text{ V}$ નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે,તો પરિપથમાં ડાયોડ $D_1$ માંથી વહેતો પ્રવાહ . . . . . . $\text{mA}$ છે. (ધારો કે આપેલ પરિપથમાં બધા ડાયોડ સમાન છે)

રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં $P-N$ જંકશનના ડેપ્લેશન સ્તરમાં ....... હોય છે.

આપેલ આકૃતિમાં દર્શાવેલ નેટવર્કનો કુલ અવરોધ કેટલો છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: રિવર્સ-બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ જ ઓછો પ્રવાહ આપે છે જે એક નિર્ણાયક મર્યાદા સુધી વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે,જેના પર પ્રવાહમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
કારણ $R$: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાની નીચે,માત્ર મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજની ઉપર તીવ્રતાથી વધે છે.

થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ એટલે શું? $Ge$ અને $Si$ માટે થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજનું મૂલ્ય લખો.

સિલિકોન $P-N$ જંકશનમાં ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસમાં ચાર્જ કેરિયર્સની ગતિ માટેના મુખ્ય મિકેનિઝમ કયા છે?