વિધાન: જો વિદ્યુતભારિત કણની ઝડપ વધે,તો તેનું દળ અને વિદ્યુતભાર બંને વધે છે.
કારણ: જો $m_0$ એ સ્થિર દળ હોય અને $m$ એ $v$ વેગ પરનું દળ હોય,તો $m = \frac{m_0}{\sqrt{1 - \frac{v^2}{c^2}}}$,જ્યાં $c$ એ પ્રકાશની ઝડપ છે.

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
$A$. લક્ષ્ય પદાર્થના ચુસ્ત રીતે બંધાયેલા ઇલેક્ટ્રોન $X$-રે ફોટોનનું પ્રકીર્ણન કરે છે,જેના પરિણામે કોમ્પ્ટન અસર થાય છે.
$B$. ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાથે થાય છે.

$500 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ $1.25 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે,જે $B$ તીવ્રતાના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં મૂકવામાં આવેલ છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ ને લંબ રૂપે ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોન $30 \, cm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. $B$ નું મૂલ્ય $.... \times 10^{-7} \, T$ છે.
આપેલ છે: $hc = 20 \times 10^{-26} \, J \cdot m$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m_e = 9 \times 10^{-31} \, kg$ અને $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$.

યોગ્ય ઉદાહરણ દ્વારા દર્શાવો કે પ્રકાશની કણ કે તરંગ પ્રકૃતિ પ્રયોગના પ્રકાર પર આધાર રાખે છે.

જો $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ તથા $c$ એ પ્રકાશની ઝડપ હોય,તો $E$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોનની તરંગલંબાઈ અને સમાન ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ અને આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?