दाता अशुद्धि के साथ डोप किया गया अर्धचालक होता है

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? यदि आंतरिक वाहक सांद्रता $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ है और इस तापमान पर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ और होल गतिशीलता $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ है।

यदि $n_e$ और $v_d$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या और अपवाह वेग (drift velocity) हैं, तो तापमान बढ़ाने पर क्या होता है?

$p$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त करने के लिए शुद्ध अर्धचालक में किस प्रकार की अशुद्धि मिलाई जानी चाहिए?

शुद्ध सिलिकॉन में, प्रति इकाई आयतन इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ है। यदि सिलिकॉन को बोरॉन के साथ इस प्रकार डोप किया जाता है कि होल घनत्व बढ़कर $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ हो जाता है, तो डोप्ड अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन घनत्व क्या होगा?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः होते हैं: