एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $10^{16} \ m^{-3}$ है। गैलियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_{h}$ बढ़कर $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। तो,डोप्ड अर्धचालक में $n_{e}$ का मान क्या होगा?

निम्नलिखित में से किस कथन में प्राप्त अशुद्ध अर्धचालक $p$-प्रकार का है?

जर्मेनियम क्रिस्टल को $N$-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए इसमें मिलाए जाने वाले अशुद्धि परमाणु की संयोजकता कितनी होती है?

एक जर्मेनियम क्रिस्टल प्लेट के फलकों पर $2.5 \,V$ का विभवांतर लगाया जाता है। क्रिस्टल का क्षेत्रफल $1 \,cm^2$ है और इसकी मोटाई $1.0 \,mm$ है। जर्मेनियम में मुक्त इलेक्ट्रॉन सांद्रता $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ है और इलेक्ट्रॉन तथा होल की गतिशीलता क्रमशः $0.33 \,m^2/V \cdot s$ और $0.17 \,m^2/V \cdot s$ है। प्लेट से प्रवाहित धारा .......... $A$ होगी।

शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ फास्फोरस मिलाया जाता है। यदि सभी दाता परमाणु सक्रिय हैं और इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ है, तो $20^\circ\text{C}$ पर प्रतिरोधकता $\Omega\cdot\text{cm}$ में क्या होगी?

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में,