$8 eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $1.6 \times 10^{15} Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ............... $eV$ છે ($h = 6.6 \times 10^{-34} Js$ આપેલ છે).

$8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $1.6 \times 10^{15} \ Hz$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ($eV$ માં) કેટલી હશે? ($h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને $1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$ લો)

$1.07 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 \ nm$ તરંગલંબાઈવાળું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ છે. $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ Js, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

યાદી-$I$ માં આપેલ કૃષ્ણ પદાર્થ (black body) ના તાપમાનને યાદી-$II$ માં આપેલા યોગ્ય વિધાન સાથે જોડો અને સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
[આપેલ છે: વિનનો અચળાંક $2.9 \times 10^{-3} \, m-K$ અને $\frac{hc}{e}=1.24 \times 10^{-6} \, V-m$ ]

યાદી-$I$	યાદી-$II$
$(P)$ $2000 \, K$	$(1)$ મહત્તમ તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ $4 \, eV$ કાર્યવિધેય ધરાવતી ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે છે.
$(Q)$ $3000 \, K$	$(2)$ મહત્તમ તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ માનવ આંખ માટે દ્રશ્યમાન છે.
$(R)$ $5000 \, K$	$(3)$ મહત્તમ ઉત્સર્જન તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ એક સ્લિટના વિવર્તનમાં સૌથી પહોળું મધ્યસ્થ અધિકતમ આપશે.
$(S)$ $10000 \, K$	$(4)$ એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ ઉત્સર્જિત પાવર $6000 \, K$ તાપમાને રહેલા કૃષ્ણ પદાર્થ દ્વારા ઉત્સર્જિત પાવરના $1/16$ ગણો છે.
	$(5)$ મહત્તમ ઉત્સર્જન તરંગલંબાઇ પરના વિકિરણનો ઉપયોગ માનવ હાડકાંના ઇમેજિંગ માટે થઈ શકે છે.

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર,જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $30 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $0.4 \ eV$ થી વધીને $0.9 \ eV$ થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($eV$ માં)?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \text{ V}$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા . . . . . . હશે.