એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\lambda/2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતા ત્રણ ગણી હોય,તો સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

$\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થવાથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c=$ પ્રકાશની ઝડપ]

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$f$ એ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણોની આવૃત્તિ છે અને $I$ એ આપાત વિકિરણોની તીવ્રતા છે. નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો. કયા વિધાનો સાચા છે?
$(A)$ જો $I$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $f$ વધારવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.
$(B)$ જો કેથોડ અને એનોડ વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.
$(C)$ જો $f$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $I$ વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ સમાન રહે છે અને સેચ્યુરેશન કરંટ વધે છે.
$(D)$ જો $f$ અને $I$ અચળ રાખીને વર્ક ફંક્શન ઘટાડવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ થાય છે. ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

બે ધાતુઓ $A$ અને $B$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $400 \ nm$ અને $800 \ nm$ છે. તેમના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર,$\phi_{A} : \phi_{B}$ કેટલો થાય?

$6 \times 10^{14} \, Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે. $[h = 6.63 \times 10^{-34} \, Js, 1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J]$. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે. ($.49$ માં)