એક ચોક્કસ અધિશોષણ પ્રક્રિયા નીચે મુજબના લક્ષણો ધરાવે છે: $(i)$ તે વાન્ડર વાલ્સ બળોને કારણે ઉદભવે છે અને $(ii)$ તે પ્રતિવર્તી છે. ઉપરની અધિશોષણ પ્રક્રિયાનું વર્ણન કરતું સાચું વિધાન ઓળખો.

  • A
    અધિશોષણ એક-આણ્વીય (monolayer) છે.
  • B
    તાપમાનમાં વધારો થતાં અધિશોષણ વધે છે.
  • C
    અધિશોષણની એન્થાલ્પી $100 \ kJ \ mol^{-1}$ કરતા વધારે છે.
  • D
    સક્રિયકરણ ઉર્જા ઓછી છે.

Explore More

Similar Questions

તાપમાનમાં વધારો થવાથી કેમિસોર્પ્શન (રાસાયણિક અધિશોષણ) માં શું ફેરફાર થાય છે?

વિધાન : અણુઓનું ભૌતિક અધિશોષણ માત્ર સપાટી પર જ થાય છે.
કારણ : આ પ્રક્રિયામાં,અધિશોષિત અણુઓના બંધ તૂટી જાય છે.

$100 \ mL$ $0.6 \ M$ એસિટિક એસિડને $2 \ g$ સક્રિય કાર્બન સાથે હલાવવામાં આવે છે. અધિશોષણ પછી દ્રાવણની અંતિમ સાંદ્રતા $0.5 \ M$ છે. પ્રતિ ગ્રામ કાર્બન દીઠ અધિશોષિત એસિટિક એસિડનું પ્રમાણ $... \ g$ છે.

Difficult
View Solution

અધિશોષણ હંમેશા

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo