एक धातु $M$ हेक्सागोनल क्लोज-पैक्ड $(hcp)$ संरचना बनाती है। इसके $0.02 \ mol$ में रिक्तियों (voids) की कुल संख्या $......... \times 10^{21}$ है (निकटतम पूर्णांक) (दिया गया है $N_{A} = 6.02 \times 10^{23}$)

केशन $X$ और एनायन $Y$ से बने लवण की नीचे दी गई क्लोज-पैक्ड संरचना के लिए (स्पष्टता के लिए केवल एक फलक के आयन दिखाए गए हैं),पैकिंग अंश लगभग है
$\text{(पैकिंग अंश} = \frac{\text{पैकिंग दक्षता}}{100}\text{)}$

एक आयनिक ऑक्साइड में,ऑक्साइड ऋणायन $hcp$ व्यवस्था बनाते हैं,जबकि धातु धनायन अष्टफलकीय रिक्तियों का $\frac{2}{3}$ भाग घेरते हैं। इस ऑक्साइड का सूत्र ज्ञात कीजिए।

यदि $fcc$ इकाई सेल का आयतन $1.25 \times 10^{-22} \ cm^3$ है,तो $fcc$ इकाई सेल में रिक्त स्थान (void volume) का आयतन $cm^3$ में ज्ञात कीजिए।

मिश्रित ऑक्साइड की क्लोज-पैक्ड संरचना में,जालक ऑक्साइड आयनों से बना है। चतुष्फलकीय रिक्तियों (tetrahedral voids) का एक-आठवां भाग द्विसंयोजक धनायनों $(A^{2+})$ द्वारा और अष्टफलकीय रिक्तियों (octahedral voids) का आधा भाग त्रिसंयोजक धनायनों $(B^{3+})$ द्वारा भरा हुआ है। मिश्रित ऑक्साइड का सूत्र क्या है?

एक क्रिस्टलीय ठोस $XY_3$ में इसके तत्व $Y$ के लिए $ccp$ व्यवस्था है। $X$ कितने भाग में स्थित है?