એક સર્કિટ અને તેના ઇનપુટ ટર્મિનલ $(V_i)$ પર લાગુ કરવામાં આવેલ સિગ્નલ નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કયો વિકલ્પ આઉટપુટ વેવફોર્મ $(V_0)$ નું યોગ્ય રીતે વર્ણન કરે છે? (ધારો કે ઉપયોગમાં લેવાયેલ તમામ ઉપકરણો આદર્શ છે અને $P$ ને સંદર્ભ પોટેન્શિયલ તરીકે લો.)

ફોરવર્ડ બાયસમાં,$P-N$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયરની પહોળાઈ:

સિલિકોન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ $1 \, \mu m$ છે અને ની પોટેન્શિયલ $0.6 \, V$ છે, તો ડેપ્લેશન લેયરમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કેટલું હશે?

$621 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા અર્ધવાહક પદાર્થના બેન્ડ ગેપ સાથે મેળ ખાય છે. તો અર્ધવાહકમાંથી ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ ઉર્જા કેટલી છે ($eV$ માં)?
[લો $hc = 1242 \ eV-nm$,જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે]

એક સેમિકન્ડક્ટર $(Ge - As)$ નો એનર્જી ગેપ $1.43\, eV$ છે. જ્યારે આવા સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનનું પુનઃસંયોજન થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત થતી મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે?

આકૃતિમાં $P-N$ જંકશન ડાયોડના $I-V$ લાક્ષણિકતા દર્શાવેલ છે. જ્યારે $1\;V$ નો ફોરવર્ડ બાયસ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે $P-N$ જંકશનનો આશરે ડાયનેમિક અવરોધ .......$\Omega$ છે.