$2.5 \, eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

  • A
    $4000 \, nm$
  • B
    $6000 \, nm$
  • C
    $4000 \, \mathring{A}$
  • D
    $6000 \, \mathring{A}$

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एक $PN$ जंक्शन फोटोसेल में,एकवर्णी प्रकाश द्वारा उत्पन्न फोटो-विद्युत वाहक बल (photo-electromotive force) का मान किसके समानुपाती होता है?

सौर ऊर्जा पर कार्य करने वाले उपकरणों की पहचान कीजिए।
$(a)$ फोटोडायोड
$(b)$ फोटोवोल्टिक सेल
$(c)$ $LED$
$(d)$ फोटो-थर्मल उपकरण

एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ में $2\,V$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है और जब यह $6\,V$ की बैटरी के साथ एक लिमिटिंग रेजिस्टर $R$ के माध्यम से संचालित होता है,तो इसमें $10\,mA$ की धारा प्रवाहित होती है। $R$ का मान $......\,k\Omega$ है।

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A:$ फोटोडायोड का उपयोग आमतौर पर प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फॉरवर्ड बायस में किया जाता है।
कारण $R:$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए, अनुप्रयुक्त वोल्टेज $V$ पर, $|V_z| > |V| \geq V_0$ के लिए फॉरवर्ड बायस में धारा रिवर्स बायस की तुलना में अधिक होती है, जहाँ $V_0$ थ्रेशोल्ड वोल्टेज है और $V_z$ ब्रेकडाउन वोल्टेज है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में, नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें।

एक फोटोडायोड में,एकवर्णी प्रकाश पुंज द्वारा उत्पन्न $emf$ का मान किसके सीधे आनुपातिक होता है?

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