$P-N$ जंक्शन का विभव प्राचीर (potential barrier) $0.5 \ V$ है। अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $5.0 \times 10^{-7} \ m$ है,तो विद्युत क्षेत्र की गणना कीजिए।

दी गई आकृति में,प्रत्येक डायोड का फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $30\, \Omega$ है और रिवर्स बायस में अनंत प्रतिरोध है। धारा ${I}_{1}$ का मान $....\,A$ होगा।

दी गई आकृति में,एक डायोड $D$ को एक बाहरी प्रतिरोध $R = 100 \,\Omega$ और $3.5 \,V$ के $e.m.f.$ से जोड़ा गया है। यदि डायोड के सिरों पर विकसित अवरोध विभव (barrier potential) $0.5 \,V$ है,तो परिपथ में धारा ........ $mA$ होगी।

निम्नलिखित में से कौन सा परिपथ फॉरवर्ड बायस्ड डायोड को दर्शाता है? नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

एक $p-n$ जंक्शन को एक संधारित्र (capacitor) के रूप में मानें,जिसमें $p$ और $n$-पदार्थ पतले धातु इलेक्ट्रोड के रूप में और अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई उनके बीच की दूरी के रूप में कार्य करती है। इसके आधार पर,मान लें कि एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर $CE$ कॉन्फ़िगरेशन में एम्पलीफायर के रूप में काम कर रहा है। यदि $C_1$ और $C_2$ क्रमशः बेस-एमिटर और कलेक्टर-एमिटर जंक्शन कैपेसिटेंस हैं,तो :