જ્યારે કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે હવા હોય ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $1\,pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યા મીણ (wax) થી ભરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ $2\,pF$ થાય છે. તો મીણનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $k$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ સંપૂર્ણપણે દાખલ કરવામાં આવે,તો કેપેસિટર પરનો અંતિમ વિદ્યુતભાર કેટલો હશે? (ધારો કે પ્રારંભિક વિદ્યુતભાર $q_{0}$ છે)

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15 \, pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે છે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $3.5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. તો કેપેસિટન્સ $\frac{x}{4} \, pF$ થાય છે. $x$ નું મૂલ્ય $............$ છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને $100 \,V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે। પ્લેટોની વચ્ચે $2 \,mm$ જાડાઈની ઇન્સ્યુલેટર શીટ મૂકવામાં આવે છે। ત્યારબાદ, સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જાળવી રાખવા માટે, પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \,mm$ જેટલું વધારવામાં આવે છે। ઇન્સ્યુલેટરનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે સમાન કેપેસિટર $1$ અને $2$ ને શ્રેણીમાં બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. કેપેસિટર $2$ માં $k$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ છે. $Q_1$ અને $Q_2$ એ કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારો છે. હવે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે અને અનુરૂપ વિદ્યુતભારો $Q'_1$ અને $Q'_2$ છે. તો:

$60 \ \mu F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર,જેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6 \ mm$ છે,તેને $250 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ચાર્જિંગ સ્ત્રોત દૂર કરવામાં આવે છે. જ્યારે $5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $3 \ mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે,ત્યારે કેપેસિટરના પોટેન્શિયલ તફાવતમાં થતો ફેરફાર શોધો. ($V$ માં)