નીચેનામાંથી કયું ઈલેક્ટ્રોનિક બંધારણ તત્વના પરમાણુની સૌથી વધુ દ્વિતીય આયનીકરણ ઊર્જા દર્શાવે છે?

યાદી-$I$ ને યાદી-$II$ સાથે જોડો:

યાદી-$I$ (તટસ્થ પરમાણુની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના જ્યાં $n=2$)	યાદી-$II$ ($1^{st}$ આયનીકરણ ઉર્જા $\text{kJ mol}^{-1}$ માં)
$A. ns^2$	$I. 2080$
$B. ns^2np^1$	$II. 899$
$C. ns^2np^3$	$III. 800$
$D. ns^2np^6$	$IV. 1402$

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I$: $B$,$Al$ અને $Ga$ ની બીજી આયનીકરણ એન્થાલ્પીનો ક્રમ $B > Al > Ga$ છે.
વિધાન $II$: પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પીના સંદર્ભમાં સાચો ક્રમ $Si < Ge < Pb < Sn$ છે.

આયનીકરણ પોટેન્શિયલના ખ્યાલના સંદર્ભમાં,નીચેનામાંથી કયો સેટ સાચો છે?

$Si, P, Cl$ અને $S$ ની આયનીકરણ એન્થાલ્પી (in $kJ \ mol^{-1}$) ના સાચા મૂલ્યો અનુક્રમે કયા છે?

ચાર તત્વો $A, B, C, D$ ની બાહ્યતમ ઇલેક્ટ્રોન રચના નીચે મુજબ છે:
$A: 3s^{2}$
$B: 3s^{2} 3p^{1}$
$C: 3s^{2} 3p^{3}$
$D: 3s^{2} 3p^{4}$
તેમની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ કયો છે?