ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલ માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ કયો છે?

$2.4 \text{ eV}$ ઉર્જા અને $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે અને $v$ મહત્તમ વેગ સાથે ફોટોઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે। $\lambda$ માં $50 \%$ ઘટાડો કરવાથી, ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $3 v$ થાય છે। ધાતુની પ્લેટના દ્રવ્યનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($\text{ eV}$ માં)?

$1 \; eV$ અને $2.5 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન વિકિરણો ક્રમશઃ $0.5 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$1.6 \times 10^{15}\ Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને $8\ eV$ ઊર્જા ધરાવતું ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા ............ $eV$ છે. $(h = 6.6 \times 10^{-34}\ J\cdot s, 1\ eV = 1.6 \times 10^{-19}\ J)$

જો ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4 \times 10^8 \, cm/s$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ થશે (ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \, kg$).

ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટેનું કાર્ય વિધેય અનુક્રમે $1.92 \ eV, 2.0 \ eV$ અને $5 \ eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી કઈ ધાતુ(ઓ)માંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?