આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ પર આધારિત ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિના આલેખનો ઢાળ .......

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો ઘટાડો કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રારંભિક મહત્તમ ગતિઊર્જા કરતા $3$ ગણી થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો ($h$ - પ્લાન્કનો અચળાંક,$c$ - શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં જો પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

$\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થવાથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c=$ પ્રકાશની ઝડપ]

તરંગલંબાઈ $\lambda = 4770 \ \mathring{A}$ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ ચાર અલગ-અલગ ધાતુઓ $A, B, C$ અને $D$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે. $A, B, C$ અને $D$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $4.2 \ \text{eV}, 3.7 \ \text{eV}, 3.2 \ \text{eV}$ અને $2.3 \ \text{eV}$ છે. કઈ ધાતુઓમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?

$2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $3.4 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ-ઊર્જા .......... $eV$ છે.