જ્યારે પ્રકાશ સંવેદી સપાટી પર પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આ ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખતી નથી?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $6.2\, eV$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ,જેના માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5\, V$ છે,તે કયા વિસ્તારમાં આવેલી છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $(A)$ તરીકે અને બીજાને કારણ $(R)$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $(A) :$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરમાં ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન ફોટો-ઉત્સર્જક પદાર્થને પૂરતો ઋણ વિદ્યુત સ્થિતિમાન આપીને અટકાવી શકાય છે.
કારણ $(R) :$ ઋણ વિદ્યુત સ્થિતિમાન, જે ફોટો-ઉત્સર્જક પદાર્થની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવે છે, તે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.