એક ધાતુનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક કાર્ય વિધેય $1 \ eV$ છે. તેના પર $\lambda = 3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

જ્યારે ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E$ છે. ગતિઊર્જા બમણી કરવા માટે,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ કેટલી હોવી જોઈએ?

જ્યારે કોઈ ધાતુ પર $\lambda$ $(\lambda < \lambda_0)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત તમામ ફોટોઈલેક્ટ્રોન $B_0$ ફ્લક્સ ઘનતા ધરાવતા ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા $r$ ત્રિજ્યાના વર્તુળમાં વળે છે. $\frac{1}{\lambda_0}$ શોધો,જ્યાં $\lambda_0$ એ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ છે.

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉત્તેજિત અવસ્થા $(n = 3)$ થી તેની ધરા અવસ્થા $(n = 1)$ માં કૂદકો મારે છે અને આમ ઉત્સર્જિત ફોટોન પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $5.1 \, eV$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($, V$ માં)? ($n$ મી અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા $E_n = \frac{-13.6}{n^2} \, eV$)

થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સમાન વેગથી ગતિ કરે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.