જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે $600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના કાર્ય વિધેય (work function) નો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે $v_{1}$ આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{1}$ છે. જ્યારે બીજી આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{2}$ બને છે. જો $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક હોય અને $e$ ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર હોય,તો બીજા કિસ્સામાં પ્રકાશની આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થતો ફોટોન $2 \text{ eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે। ફોટોન સાથે સંકળાયેલ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે ($\text{ Å}$ માં)?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ત્યારે જ થાય છે જ્યારે આપાત પ્રકાશ પાસે ચોક્કસ લઘુત્તમ કરતાં વધુ હોય

ત્રણ ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $W_A, W_B$ અને $W_C$ છે. તેઓ ઘટતા ક્રમમાં છે $(W_A > W_B > W_C)$. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E_k$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $v$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટી પર આપાત થાય છે અને ઈલેક્ટ્રોન ગતિઊર્જા $K$ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $K$ ને તેની મૂળ કિંમત કરતા બમણી કરવી હોય,તો તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda'$ કરવી પડે જેથી :-