$N$-प्रकार के $Ge$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता $5000 \ cm^2/V \cdot s$ और चालकता $5 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि परमाणुओं की सांद्रता क्या होगी?
- A$6.25 \times 10^{15} \ cm^{-3}$
- B$9.25 \times 10^{14} \ cm^{-3}$
- C$6 \times 10^{13} \ cm^{-3}$
- D$9 \times 10^{13} \ cm^{-3}$
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$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में आवेश वाहक (charge carriers) होते हैं
$P$-प्रकार के अर्धचालक में, एक्सेप्टर स्तर वैलेंस बैंड से $57 \, meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की तरंग दैर्ध्य $\mathring{A}$ में क्या होगी? (दिया गया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)
Difficult
View Solution$N$-प्रकार के अर्धचालक में,दाता ऊर्जा स्तर $E_D$ कहाँ स्थित होते हैं?
Easy
View Solution$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की समान सांद्रता $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?
Difficult
View Solution$p$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त करने के लिए शुद्ध अर्धचालक में किस प्रकार की अशुद्धि मिलाई जानी चाहिए?
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