$3315 \ \text{Å}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ફોટોકેથોડ પર આપાત થાય છે અને $3 \times 10^{-19} \ \text{J}$ ઊર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ફોટોનની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ શોધો. [પ્લાન્કનો અચળાંક $(h)$ $= 6.63 \times 10^{-34} \ \text{J-s}$, પ્રકાશનો વેગ $(c)$ $= 3 \times 10^{8} \ \text{m/s}$]. ($\text{Å}$ માં)

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન-$I$: આકૃતિ બે પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો $M_1$ અને $M_2$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ નો આવૃત્તિ $(v)$ સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{h}{e}$ નું મૂલ્ય આપે છે,જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે.
વિધાન-$II$: સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે $M_2$ વધુ ગતિ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $1 \; eV$ છે. $3000 \; \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 eV$ થી $5 eV$ ની રેન્જમાં છે. નીચેનામાંથી પ્રકાશની કઈ તરંગલંબાઈ ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે વાપરી શકાતી નથી ($nm$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $= 4 \times 10^{-15} eVs$,પ્રકાશનો વેગ $= 3 \times 10^{8} m/s$ લો)

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ હાઇડ્રોજનની $H_{\alpha}$ રેખાની આવૃત્તિ જેટલી છે. જો આ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર હાઇડ્રોજનની $H_{\beta}$ રેખાની આવૃત્તિ જેટલી આવૃત્તિ ધરાવતો ફોટોન આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($R$ = રિડબર્ગ અચળાંક,$h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$ = શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).