$E$ ऊर्जा का एक फोटॉन $W_0$ कार्यफलन वाली धातु की सतह से फोटोइलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करता है। यदि यह इलेक्ट्रॉन $B$ चुंबकीय क्षेत्र में क्षेत्र के लंबवत दिशा में प्रवेश करता है और $r$ त्रिज्या का एक वृत्ताकार पथ बनाता है,तो त्रिज्या का मान क्या होगा?

फोटोसेल पर आपतित प्रकाश की तरंगदैर्घ्य $400 \ nm$ और $250 \ nm$ है। उत्सर्जित फोटो-इलेक्ट्रॉन का वेग क्रमशः $v$ और $2v$ है। धातु का कार्य फलन (work function) क्या होगा?

मर्करी लैंप फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जन की आवृत्ति पर निर्भरता का अध्ययन करने के लिए एक सुविधाजनक स्रोत है,क्योंकि यह $UV$ से दृश्य स्पेक्ट्रम के लाल छोर तक कई स्पेक्ट्रल रेखाएं प्रदान करता है। रूबिडियम फोटोसेल के साथ हमारे प्रयोग में,मर्करी स्रोत की निम्नलिखित रेखाओं का उपयोग किया गया था:
$\lambda_1 = 3650 \,\mathring{A}, \lambda_2 = 4047 \,\mathring{A}, \lambda_3 = 4358 \,\mathring{A}, \lambda_4 = 5461 \,\mathring{A}, \lambda_5 = 6907 \,\mathring{A}$
उनके संबंधित स्टॉपिंग वोल्टेज इस प्रकार मापे गए थे:
$V_{01} = 1.28 \,V, V_{02} = 0.95 \,V, V_{03} = 0.74 \,V, V_{04} = 0.16 \,V, V_{05} = 0 \,V$
प्लांक नियतांक $h$,देहली आवृत्ति (threshold frequency) और पदार्थ के लिए कार्य फलन (work function) का मान ज्ञात कीजिए।

जब $\lambda_1$ तरंगदैर्ध्य के फोटॉन एक पृथक गोले पर आपतित होते हैं,तो संबंधित निरोधी विभव (stopping potential) $V$ पाया जाता है। जब $\lambda_2$ तरंगदैर्ध्य के फोटॉन का उपयोग किया जाता है,तो निरोधी विभव उपरोक्त मान का तीन गुना होता है। यदि $\lambda_3$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश का उपयोग किया जाता है,तो इस स्थिति के लिए निरोधी विभव ज्ञात कीजिए।

जब $300 \; nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश एक फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जक पर पड़ता है,तो फोटोइलेक्ट्रॉन मुक्त होते हैं। दूसरे उत्सर्जक के लिए,$600 \; nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जन के लिए पर्याप्त है। दोनों उत्सर्जकों के कार्य फलन (work function) का अनुपात क्या है?

फोटो-इलेक्ट्रॉनों की अधिकतम गतिज ऊर्जा केवल किस पर निर्भर करती है?