નીચેના આયનોની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના લખો:
$(a) H^-$
$(b) Na^+$
$(c) O^{2-}$
$(d) F^-$

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
$(a) H^-$: કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $1 + 1 = 2$. ઇલેક્ટ્રોનીય રચના: $1s^2$.
$(b) Na^+$: કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $11 - 1 = 10$. ઇલેક્ટ્રોનીય રચના: $1s^2 2s^2 2p^6$.
$(c) O^{2-}$: કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $8 + 2 = 10$. ઇલેક્ટ્રોનીય રચના: $1s^2 2s^2 2p^6$.
$(d) F^-$: કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $9 + 1 = 10$. ઇલેક્ટ્રોનીય રચના: $1s^2 2s^2 2p^6$.

Explore More

Similar Questions

જો અન્ય પરિબળો સમાન રહે,તો નીચેનામાંથી કઈ કક્ષકમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટેની આયનીકરણ ઊર્જા સૌથી વધુ હશે?

સાચા વિધાનો ઓળખો:
a) એક પરમાણુમાં,$n=4$ અને $m_s=+\frac{1}{2}$ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ સંખ્યા $16$ છે.
b) $n=5$ સાથે $4$ પેટાકોષો (subshells) સંકળાયેલા છે.
c) $n=2, l=1, m_l=0$ અને $m_s=-\frac{1}{2}$ એ ક્વોન્ટમ આંકનો એક શક્ય સેટ છે.
d) $3s$ કક્ષક માટે રેડિયલ નોડ્સની સંખ્યા $2$ છે.

$3s^23p^5$ બાહ્ય ઇલેક્ટ્રોનિક રચના કોની છે?

મુખ્ય ક્વોન્ટમ આંક $n = 4$ માટે,$l = 3$ ધરાવતી કક્ષકોની કુલ સંખ્યા કેટલી છે?

$d$ અને $f$ કક્ષકોમાં મહત્તમ કેટલા ઇલેક્ટ્રોન સમાઈ શકે છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo