Ge અને Si ડાયોડ અનુક્રમે 0.3,V અને 0.7,V પર વ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) આપેલ સર્કિટમાં,$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ સમાંતર જોડાણમાં છે. જે ડાયોડનો થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ ઓછો હશે તે પહેલા વહન કરશે. $Ge$ નો થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ $0.3\,V$

Vedclass · Accepted Answer

$0.4$

Vedclass · Answer

(B) આપેલ સર્કિટમાં,$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ સમાંતર જોડાણમાં છે. જે ડાયોડનો થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ ઓછો હશે તે પહેલા વહન કરશે. $Ge$ નો થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ $0.3\,V$ અને $Si$ નો $0.7\,V$ હોવાથી,$Ge$ ડાયોડ વહન કરશે.કિસ્સો $1$: પ્રારંભિક જોડાણ.સર્કિટમાં વોલ્ટેજ ડ્રોપ $Ge$ ડાયોડ દ્વારા નક્કી થાય છે,$V_{drop} = 0.3\,V$.પ્રવાહ $i = \frac{12\,V - 0.3\,V}{5\,k\Omega} = \frac{11.7\,V}{5\,k\Omega} = 2.34\,mA$.આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_{o1} = i 	imes R = 2.34\,mA 	imes 5\,k\Omega = 11.7\,V$.કિસ્સો $2$: $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે છે.હવે,$Ge$ ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે અને વહન કરતું નથી. $Si$ ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં છે અને $0.7\,V$ ના થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ સાથે વહન કરે છે.પ્રવાહ $i = \frac{12\,V - 0.7\,V}{5\,k\Omega} = \frac{11.3\,V}{5\,k\Omega} = 2.26\,mA$.આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_{o2} = i 	imes R = 2.26\,mA 	imes 5\,k\Omega = 11.3\,V$.$V_0$ ના મૂલ્યમાં થતો ફેરફાર $\Delta V_0 = |V_{o1} - V_{o2}| = |11.7\,V - 11.3\,V| = 0.4\,V$ છે.

Similar Questions

એમોનિયાને કોના દ્વારા સૂકવી શકાય છે?

Balmer શ્રેણીની $H_{\alpha}$ રેખાની તરંગલંબાઈ $X \ \mathring{A}$ છે. Balmer શ્રેણીની $H_{\beta}$ રેખાની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

ફુપ્ફુસીય ધમનીમાં રુધિરનું દબાણ કેટલું હોય છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module