નીચેનામાંથી કયું પ્રકાશના તરંગ સ્વભાવનું સમર્થન કરતું નથી?

જ્યારે પ્રકાશનો એકવર્ણી બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2\, m$ અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સેચ્યુરેશન કરંટ અનુક્રમે $0.6\, V$ અને $18.0\, mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6\, m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો

કઈ આકૃતિ સમાન તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશની બે અલગ-અલગ તીવ્રતાઓ $(I_1 < I_2)$ પર લાગુ કરેલ વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $(I)$ ના સાચા ફેરફારને દર્શાવે છે?

ફોટોસેલ માટે પ્રવાહ $(i)$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $(V)$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હશે?

સોડિયમ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉન માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રોન એટલે શું?