(N/A) $1.5 \text{ eV}$ के करीब बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductors) सौर सेल निर्माण के लिए आदर्श सामग्री हैं।
ये सामग्रियां निम्नलिखित हैं:
$Si$ $(E_{g} = 1.1 \text{ eV})$,
$GaAs$ $(E_{g} = 1.43 \text{ eV})$,
$CdTe$ $(E_{g} = 1.45 \text{ eV})$,
$CuInSe_{2}$ $(E_{g} = 1.04 \text{ eV})$ आदि।
सौर सेल के निर्माण के लिए सही सामग्री चुनने के महत्वपूर्ण मानदंड निम्नलिखित हैं:
$(1)$ बैंड गैप $E_{g}$ लगभग $1.0 \text{ eV}$ से $1.8 \text{ eV}$ के बीच होना चाहिए।
$(2)$ उच्च ऑप्टिकल अवशोषण (optical absorption),लगभग $10^{4} \text{ cm}^{-1}$।
$(3)$ विद्युत चालकता उच्च होनी चाहिए।
$(4)$ कच्चा माल आसानी से उपलब्ध होना चाहिए।
$(5)$ लागत कम होनी चाहिए।