સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ અને આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
$A$. લક્ષ્ય પદાર્થના ચુસ્ત રીતે બંધાયેલા ઇલેક્ટ્રોન $X$-રે ફોટોનનું પ્રકીર્ણન કરે છે,જેના પરિણામે કોમ્પ્ટન અસર થાય છે.
$B$. ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાથે થાય છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના એક પ્રયોગમાં ત્રણ જુદી જુદી ધાતુઓ $p, q$ અને $r$ ની પ્લેટનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો,જેના વર્કફંકશન અનુક્રમે $\phi_p = 2.0\ eV$,$\phi_q = 2.5\ eV$ અને $\phi_r = 3.0\ eV$ છે. સમાન તીવ્રતાવાળા ત્રણ વિકિરણ કે જેમની તરંગલંબાઈ $550\ nm, 450\ nm$ અને $350\ nm$ છે,તેમને આ પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે છે. તો નીચેનામાંથી કયો $I \rightarrow V$ નો આલેખ પ્રયોગનાં પરિણામો માટે સાચો છે? $(hc = 1240\ eV\ nm)$

વિધાન: ધન કિરણોનો વિશિષ્ટ વીજભાર અચળ નથી.
કારણ: આયનોનું દળ ઝડપ સાથે બદલાય છે.

વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી,ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તે દરેકની ગતિ ઊર્જા બંને વધે છે,પરંતુ ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ બદલાતો નથી.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માત્ર પ્રકાશની તરંગલંબાઈ પર આધાર રાખે છે.

વિધાન : ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર પ્રકાશની તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે.
કારણ : ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પ્રકાશની આવૃત્તિના સમપ્રમાણમાં હોય છે.