दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5 \,V$ है,तो धारा.....$ mA$ होगी।

सेमीकंडक्टर डायोड पर एक संक्षिप्त टिप्पणी लिखिए।

एक $p-n$ जंक्शन को एक संधारित्र (capacitor) के रूप में मानें,जिसमें $p$ और $n$-पदार्थ पतले धातु इलेक्ट्रोड के रूप में और अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई उनके बीच की दूरी के रूप में कार्य करती है। इसके आधार पर,मान लें कि एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर $CE$ कॉन्फ़िगरेशन में एम्पलीफायर के रूप में काम कर रहा है। यदि $C_1$ और $C_2$ क्रमशः बेस-एमिटर और कलेक्टर-एमिटर जंक्शन कैपेसिटेंस हैं,तो :

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा है

$p-n$ जंक्शन के निर्माण के दौरान कौन सी दो महत्वपूर्ण प्रक्रियाएं होती हैं?

निम्नलिखित में से किस चित्र में $p-n$ जंक्शन डायोड रिवर्स बायस्ड है?