ધારો કે ફોટોઇમિશન થાય છે,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કયા અવયવ દ્વારા થાય છે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે $K_{max}$ એ $K_0$ છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે, તો $K_{max}$ એ $3K_0$ થાય છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ ત્રણ ગણી કરવામાં આવે તો $K_{max}$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે? ($K_0$ ના સંદર્ભમાં)

જો $6.2 eV$ ના અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો એલ્યુમિનિયમની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (વર્ક-ફંક્શન $= 4.2 eV$)

$v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ એક નિશ્ચિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ (દહેલી) આવૃત્તિ $v_0$ છે. પદાર્થ માટે કાર્ય વિધેય (Work Function) શું છે?

હાઇડ્રોજનથી ભરેલી ડિસ્ચાર્જ ટ્યુબમાંથી આવતો પ્રકાશ ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર પડે છે. કેથોડની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન $4 \ eV$ છે. કેથોડની સાપેક્ષમાં એનોડ વોલ્ટેજ (વોલ્ટમાં) નું નીચેનામાંથી કયું મૂલ્ય ફોટોકરન્ટને શૂન્ય બનાવશે?

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં બીજા ઉત્તેજિત અવસ્થામાંથી ધરા અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોનના સંક્રમણ દ્વારા મુક્ત થતો ફોટોન $3.1 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. તે ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ આશરે કેટલી હશે?